Площадь испарения Ø 5 - 20 ммМонитор потокаВстроенный затворЗадняя загрузка испарителяEFM 3 для пакетов VT SPM и для пакетов LT SPMПродукт ФОКУСEFM 3 предназначен для выращивания тонких пленок и молекулярно-лучевой эпитаксии. Можно производить субмонослойные и многослойные системы со скоростью испарения от 1/10 монослоя в минуту до более чем 1000 монослоев в секунду. Водяное охлаждение обеспечивает низкое фоновое давление (обычно в диапазоне 10-10 мбар) во время испарения и, таким образом, позволяет выращивать сверхчистые пленки.Точно определенный пучок испарителя обеспечивает очень равномерное осаждение на образце. Площадь осаждения определяется выбором трех различных легко заменяемых выходных отверстий и расстоянием от источника до образца.Часть испаряющегося пучка ионизируется. Когда эти ионы попадают на подложку, они могут создавать дефекты на поверхности подложки и выделять энергию. Чтобы избежать этого, EFM 3 может быть дополнительно оснащен ионным подавителем, который отталкивает ионы обратно в EFM
