• Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в браузере должен быть включен Javascript.
р. 0
RF Atom Source для атомарного кислорода и атомарного азотаМинимальные потери мощности благодаря оптимизированной конструкцииЗона выброса изготовлена из высококачественных материалов, обеспечивающих минимальное загрязнение пучкаСтандартная конфигурация с нулевым ионным токомДля выращивания высококачественных составных материалов в идеале требуются нейтральные атомарные частицы. В то время как молекулярные газы, такие как кислород или азот, оказались на порядки менее реакционноспособными, чем если бы они были диссоциированы в атомарную форму.Поэтому для образования оксидов с использованием молекулярного кислорода обычно требуются очень высокие температуры и/или длительные периоды окисления, в то время как молекулярный азот почти не проявляет реакционной способности для многих материалов.Таким образом, диссоциированные частицы увеличивают реакционную способность на много порядков и, следовательно, позволяют выращивать оксиды или нитриды при низком давлении и при разумных температурах подложки.Однако ионные частицы, образующиеся в плазменных процессах, имеют тенденцию быть энергичными и, возможно, создают точечные дефекты. С другой стороны, атомарные частицы несут незначительную кинетическую энергию и, следовательно, обеспечивают быстрый рост пленки без образования дефектов
Имя и фамилия *
Электронная почта *
Номер телефона *
Сообщение
р. 0

ХАРАКТЕРИСТИКИ

Параметры:

CVD, PVD, для обработки поверхности